半導体技術において世界的なリーダーであるSamsung Electronics(サムスン電子)は、業界で初めて次世代モバイルデバイス向けの512GBストレージの量産を開始したと発表した。

 

Samsungの新しい64層の512GB V-NANDチップを利用した512GB eUFSパッケージは、今までにない大きなストレージ容量と今後のフラッグシップスマホとタブレット向けに優れたパフォーマンスを発揮することが出来る。

 

この512GBの新しいストレージ、ただ容量が大きくなったわけではなく読み書き速度も高速になっている。

 

読み込み速度が860MB/s、書き込み速度が255MB/sとなっており、標準的なmicroSDカードよりもおよそ8倍高速な性能となっている。

 

microSDと比べてみるとその読み書き速度の高速さがより分かる。

 

Samsung Electronics(サムスン電子)は、既に生産している256GB V-NANDの生産拡大に加えて、今回の64層 512GB V-NANDチップの生産台数を積極的に増やしていく予定としている。

 

これは、高性能のSSDやリムーバブルディスクに加えて、硬度な組み込みモバイルストレージ(スマホ・タブレット)に対する需要の増加に対応するためだ。

 

2018年に発売される予定のGalaxy s9/s9 Plusのストレージに今回の新しい512GBが搭載されるのかどうかが見ものだ。

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